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MARIFY3357(S58)
本芯片采用硅外延工艺制造,具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、小结电容特性,较大的动态范围,理想的电流线性; 主要应用于超高频微波、高频宽带低噪声放大器中,如CATV视频放大器、无线收发模块、各类远距离遥控器、安防报警器、模拟数字无绳电话等产品中,适合中功率高频信号放大; 集电极-发射极击穿电压:BVCEO=15V,最大集电极电流:ICM=100mA,集电极耗散功率:PC=1000mW,特征频率:fT=8.5GHz; 封装形式:SOT89,本体印字(Marking):S58。
MARIFY3356(R25)180-250
具有高功率增益放大以及低噪声特性,大动态范围,理想的电流线性; 主要应用于超高频微波无线射频放大、VHF、UHF 和CATV 高频宽带低噪声放大器、无线遥控 器、射频模块、雷达感应开关等电路中; 集电极-发射极击穿电压:BVCEO≥12V,最大集电极电流:IC≥100mA,集电极功率:PC≥200mW (SOT-323 封装PC≥150mW),特征频率:fT=7.5GHz; 封装形式:SC59、SOT23 或者SOT323,本体印字:R25; 180-250
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